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微碩WINSOK高性能MOS管WSD3020DN33,在無(wú)線充電器上的應(yīng)用

發(fā)布日期:2025-03-10 點(diǎn)擊次數(shù):132

隨著無(wú)線充電技術(shù)的普及,無(wú)線充電器對(duì)功率器件的性能要求越來越高。微碩WINSOK WSD3020DN33作為一種高性能N溝道MOS,憑借其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和高可靠性等特點(diǎn),在無(wú)線充電器功率轉(zhuǎn)換、線圈驅(qū)動(dòng)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),為無(wú)線充電器的設(shè)計(jì)提供了理想的解決方案。

無(wú)線充


低導(dǎo)通電阻與高效率

WSD3020DN33的導(dǎo)通電阻RDS(ON)VGS=10V時(shí)僅為17mΩ(典型值),這使得其在大電流傳輸時(shí)的功耗極低。同時(shí),在無(wú)線充電器的同步整流電路中,低導(dǎo)通電阻能夠顯著減少能量損耗,提高整流效率。例如,在接收端的同步整流過程中,WSD3030DN33可以有效減少整流壓降損耗,從而提升接收端至電池的充電效率‌,減少熱量產(chǎn)生,延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。


WSD3020DN33

快速開關(guān)與低損耗

 

該器件的總柵極電荷Qg僅為5.9nC(典型值),這使得其開關(guān)速度極快,能夠有效減少開關(guān)損耗。在無(wú)線充電器的高頻開關(guān)應(yīng)用中,快速開關(guān)特性可顯著提高功率轉(zhuǎn)換效率,同時(shí)降低電磁干擾(EMI)。此外,其快速的開關(guān)時(shí)間(如開通延遲時(shí)間14ns,關(guān)斷延遲時(shí)間20ns)使其能夠適應(yīng)高頻逆變電路的需求,進(jìn)一步提升無(wú)線充電器的性能。

 

高耐壓與抗浪涌能力

 

WSD3020DN33支持30V耐壓設(shè)計(jì),滿足無(wú)線充電器發(fā)射端H橋驅(qū)動(dòng)電路對(duì)電壓突波的保護(hù)需求,尤其在動(dòng)態(tài)負(fù)載切換場(chǎng)景下增強(qiáng)系統(tǒng)穩(wěn)定性‌。

 

緊湊封裝與熱管理優(yōu)化


WSD3020DN33采用DFN3x3-8L封裝,尺寸小巧,適配無(wú)線充電器輕薄化趨勢(shì)。通過內(nèi)部?jī)?yōu)化散熱結(jié)構(gòu),確保器件在高功率輸出時(shí)溫升可控工作結(jié)溫范圍為-55℃150℃,避免因過熱導(dǎo)致性能劣化。

WSD3020DN33


應(yīng)用場(chǎng)景

 

在無(wú)線充電器中,WSD3020DN33可用于同步整流、功率放大和負(fù)載開關(guān)等關(guān)鍵電路。例如,在發(fā)射端的功率放大電路中,其低損耗特性可提高能量傳輸效率;在接收端的同步整流電路中,其快速開關(guān)能力可優(yōu)化整流效率。此外,其高可靠性還可確保設(shè)備在頻繁使用中的穩(wěn)定性。

 

結(jié)語(yǔ)

 

綜上所述,在15W-30W無(wú)線充電器中,WSD3020DN33憑借其低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷和高可靠性等特點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)90%以上的系統(tǒng)效率(含線圈耦合損耗),支持手機(jī)、耳機(jī)等設(shè)備的快速充電‌。未來隨著GaN等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的融合,其在更高頻、大功率無(wú)線充電領(lǐng)域的應(yīng)用潛力將進(jìn)一步釋放‌。