種基于MOS管的開關(guān)電路，包括電阻R1、電阻R2、電容C1、MOS管Q1和MOS管Q2；電阻R1的一端與單片機(jī)控制端相接，所述單片機(jī)控制端與MOS管Q1的柵極相接，電阻R1的另一端與MOS管Q1

的源極相接，MOS管Q1的漏極與MOS管Q2的柵極，MOS管Q2的柵極與電阻R2的一端相接，電阻R2的另一端與MOS管Q2的漏極相接，MOS管Q2的漏極與一電壓端相接，MOS管Q1的源極通過電容

C1與MOS管Q2的源極相接，所述MOS管Q2的源極受控模塊電源端相接，所述MOS管Q1的源極接地。包括電阻R3和電容C2，所述MOS管Q1的漏極通過電阻R3與MOS管Q2的柵極相接，所述MOS管

Q2的柵極通過電容C2接地。電壓端的電壓為3.3V。MOS管Q1為NMOS管，所述MOS管Q2為PMOS管。電阻R1的阻值為10KΩ，所述電阻R2的阻值為470Ω，所述電容C1的電容量為220uF。電阻R3

的阻值為10KΩ，電容

C2的電容量為0.1uF。

MOS管在硬件設(shè)計(jì)中經(jīng)常使用到，下面是N型MOS管，包括柵極G，源極S，漏級(jí)D。

P型的MOS管的電路符號(hào)如下：

OS管和三極管類似，只不過 MOS管是壓控壓型（電壓控制），而三極管是流控流型（電流控制）。至于MOS管的使用，N型與P型存在區(qū)別，對(duì)于應(yīng)用，我們只需要知道：

1、對(duì)于N型MOS管，若G、S之間為高（電壓方向G指向S，具體電平看具體MOS管 ），D、S（電壓方向D指向S）之間就會(huì)導(dǎo)通，此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很小的電阻，若G、S之間為

（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會(huì)截止，此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很大的電阻，電流就無法流過。

2、對(duì)于P型MOS管，若G、S之間為高（電壓方向S指向G，具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會(huì)導(dǎo)通（電壓方向S指向D），此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很小的電阻，若G、S之間為低

（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會(huì)截止 ，此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很大的電阻，電流就無法流過。

N型MOS管應(yīng)用的場(chǎng)景更多，相比于比P型MOS管，其優(yōu)點(diǎn)如下

1、開關(guān)速度更快

2、耐壓更高

3、通過的電流更大

下面是N型MOS管的一個(gè)簡(jiǎn)單的引用電路，當(dāng)G端通入高電平，MOS管D、S間導(dǎo)通，此時(shí)MOS管導(dǎo)通，電機(jī)的電流得以通過，電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。當(dāng)G端為低電平的時(shí)候，D、S間無法導(dǎo)通，

電機(jī)也就無法運(yùn)行。