功率半導(dǎo)體主要分為功率器件、功率IC。其中功率器件主要包括二極管、晶體管、晶閘管三大類別，其中晶體管是分立器件中市場(chǎng)份額最大的種類。常見晶體管主要有BJT、IGBT和MOSFET。MOSFET和IGBT逐漸成為主流，而多個(gè)IGBT可以集成為IPM模塊，用于

大電流和大電壓的環(huán)境。功率IC是由功率半導(dǎo)體與驅(qū)動(dòng)電路、電源管理芯片等集成而來(lái)的模塊，主要應(yīng)用在小電流和低電壓的環(huán)境。

功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)

根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2017年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為327億美元，預(yù)計(jì)到2022年達(dá)到426億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為5.43%。其中，工業(yè)、汽車、無(wú)線通訊和消費(fèi)電子是功率半導(dǎo)體的前四大終端市場(chǎng)。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)，2017年工業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)占全球功率半導(dǎo)體市

場(chǎng)的34%，汽車領(lǐng)域占比為23%，消費(fèi)電子占比為20%，無(wú)線通訊占比為23%。隨著對(duì)節(jié)能減排的需求日益迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域從傳統(tǒng)的工業(yè)領(lǐng)域和4C領(lǐng)域逐步進(jìn)入新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通、變頻家電等市場(chǎng)。

受益于工業(yè)、電網(wǎng)、新能源汽車和消費(fèi)電子領(lǐng)域新興應(yīng)用不斷出現(xiàn)，功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2017年全球功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模為144.01億美元，預(yù)計(jì)到2022年功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到174.88億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為3.96%。

 功率半導(dǎo)體將成為“中國(guó)芯”的最好突破口

民進(jìn)中央在兩會(huì)提案中表示，從當(dāng)前全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)看，一方面，傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體仍然有巨大的發(fā)展空間，有研究顯示，全球市場(chǎng)的碳化硅及氮化鎵等新材料功率半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)應(yīng)用量是約3億多美金，硅材料功率半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)應(yīng)用量超過(guò)200億美

金。國(guó)際市場(chǎng)的IGBT芯片主流是硅材料5代、6代及7代產(chǎn)品，國(guó)際功率半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)為，硅材料功率半導(dǎo)體材料已經(jīng)有30多年的大規(guī)模市場(chǎng)應(yīng)用驗(yàn)證，穩(wěn)定可靠，價(jià)格低，尚有技術(shù)發(fā)展空間等特點(diǎn)，在未來(lái)至少7至8年左右仍是市場(chǎng)應(yīng)用主流。

另一方面，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料正蓬勃發(fā)展，由于我國(guó)碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體器件研發(fā)起步晚，在技術(shù)上仍有很大差距，但是在國(guó)家多項(xiàng)科研計(jì)劃的扶持下，這方面已經(jīng)大幅縮小了與國(guó)際的技術(shù)差距，并取得了不少成

就。

隨著工業(yè)、汽車、無(wú)線通訊和消費(fèi)電子等領(lǐng)域新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切，我國(guó)功率半導(dǎo)體有龐大的市場(chǎng)需求，容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術(shù)，在國(guó)家政策利好下，功率半導(dǎo)體將成為“中國(guó)芯”的最好突破口。

民進(jìn)中央在兩會(huì)提出建議：

1、進(jìn)一步完善功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，大力扶持硅材料功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)攻關(guān)，立項(xiàng)支持硅材料功率半導(dǎo)體材料、芯片、器件等設(shè)計(jì)和制造工藝流程技術(shù)。

經(jīng)過(guò)多年布局和發(fā)展，我國(guó)在硅材料IGBT芯片技術(shù)方面有一定的技術(shù)基礎(chǔ)和沉淀，可以將集中突破硅材料6代功率芯片產(chǎn)品設(shè)計(jì)及批量制造工藝技術(shù)作為發(fā)展重點(diǎn)，采取先易后難、解決“有無(wú)”問(wèn)題的發(fā)展策略，盡快實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體芯片自主供給。

2、加大新材料科技攻關(guān)

大數(shù)據(jù)傳輸、云計(jì)算、AI技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對(duì)網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來(lái)越高的要求，大功率芯片的市場(chǎng)需求非常大。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)看，碳化硅、氮化鎵等新材料應(yīng)用于功率半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)明顯，是下一代功率半導(dǎo)體的核心技術(shù)方向。目

前碳化硅、氮化鎵市場(chǎng)處于起步階段，國(guó)內(nèi)廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望在本土市場(chǎng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)彎道超車。

首先要把功率半導(dǎo)體新材料研發(fā)列入國(guó)家計(jì)劃，全面部署，竭力搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。其次引導(dǎo)企業(yè)積極滿足未來(lái)的應(yīng)用需求，進(jìn)行前瞻性布局。推動(dòng)功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)著力攻克一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用技術(shù)難題，在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)中搶占先機(jī)。最后要避免對(duì)新概念

的過(guò)熱炒作。新材料從發(fā)現(xiàn)潛力到產(chǎn)業(yè)化，需要建立起高效的產(chǎn)學(xué)研體系，打造更加開放包容的投資環(huán)境。

3、謹(jǐn)慎支持收購(gòu)國(guó)外功率半導(dǎo)體企業(yè)

通過(guò)收購(gòu)很難實(shí)現(xiàn)完全學(xué)會(huì)和掌握國(guó)際先進(jìn)的功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)及制造工藝技術(shù)，同時(shí)海外工廠制造的產(chǎn)品仍然存在著無(wú)法出口到中國(guó)的危險(xiǎn)。

                                                                                                                          關(guān)于冠華偉業(yè)

冠華偉業(yè)核心團(tuán)隊(duì)專注元器件15年，總部坐落于深圳。主營(yíng)：MOSFET，MCU，IGBT等器件。主要代理產(chǎn)品WINSOK（微碩）Cmsemicon（中微）。產(chǎn)品廣泛用于軍工、工業(yè)控制，新能源，醫(yī)療產(chǎn)品，5G，物聯(lián)網(wǎng)，智能家居、及各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品。依托原廠

全球總代理的優(yōu)勢(shì)，立足于中國(guó)市場(chǎng)。利用完善的優(yōu)勢(shì)服務(wù)為客戶引進(jìn)各類先進(jìn)高科技電子元件，協(xié)助各廠家生產(chǎn)品質(zhì)優(yōu)良的產(chǎn)品并提供完善的服務(wù)。

         冠華秉承著“態(tài)度 品質(zhì) 共贏 共享”的企業(yè)價(jià)值，持續(xù)強(qiáng)化服務(wù)品質(zhì)，以提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)為目標(biāo)，并與供應(yīng)商攜手合作，共同開拓更大的市場(chǎng)版圖，共同為半導(dǎo)體的繁榮發(fā)展做出貢獻(xiàn)。