mos管，是在集成電路里的帶有絕緣性的場(chǎng)效應(yīng)管。MOS 管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一，不管是在板級(jí)電路的應(yīng)用上，還是IC的設(shè)計(jì)里，都十分廣泛。MOS管的drain和source是可以相互調(diào)換過來的的，都是在P型backgate里形成的一個(gè)N型區(qū)。在普遍的情況下，這兩個(gè)區(qū)都是相同的，就算這兩段相互調(diào)換過來也是不會(huì)去影響到器件的性能。所以這器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

原理：

MOS管是利用VGS去控制“感應(yīng)電荷”的多少，由此去改變由這些“感應(yīng)電荷”所形成的導(dǎo)電溝道的狀況，以此來控制漏極電流。在管子制造時(shí)，通過一些特殊工藝使得絕緣層出現(xiàn)大量的正離子，所以在交界面另一側(cè)可以感測(cè)出比較多的負(fù)電荷，高滲雜質(zhì)的N區(qū)被這些負(fù)電荷接通，導(dǎo)電溝道也就形成了，即便在VGS為0時(shí)也會(huì)有比較大的漏極電流ID。如果柵極電壓發(fā)生改變時(shí)，溝道里的被感應(yīng)電荷量也會(huì)發(fā)生改變，導(dǎo)電溝道中的寬窄也會(huì)隨著改變，因此漏極電流ID會(huì)伴隨著柵極電壓的變化而發(fā)生變化。

作用：

1、可以應(yīng)用在放大電路上。因?yàn)?/font>MOS管的放大器的輸入阻抗高的特性，所以耦合的電容可以容量小一點(diǎn)，可以不使用電解電容器。